Długo zapowiadana technologia 32 nm wchodzi do etapu produkcyjnego. Intel skutecznie wdraża nowy etap technologii, która ma szansę wykończyć konkurencję. Dzieje się tak gdyż Intel produkuje najbardziej wydajne procesory. W AMD zapanował strach. Intel zakończył fazę rozwojową procesu produkcyjnego nowej generacji, który zmniejsza rozmiary obwodów w układach scalonych do 32 nanometrów (miliardowych metra). Firma jest na dobrej drodze, żeby w czwartym kwartale 2009 r. osiągnąć gotowość produkcyjną umożliwiającą wytwarzanie tranzystorów, które będą bardziej energooszczędne, gęściej upakowane i wydajniejsze.
W przyszłym tygodniu w San Francisco odbędzie się spotkanie International Electron Devices (IEDM), podczas którego Intel przedstawi wiele szczegółów technicznych na temat procesu produkcyjnego 32nm, a także omówi kilka innych tematów. Fakt zakończenia w takim czasie fazy rozwojowej i osiągnięcie gotowości produkcyjnej oznacza, że Intel utrzymuje swój ambitny cykl produktowo-rozwojowy, określany mianem strategii tik-tak
Zakłada on wprowadzanie na zmianę, co 12 miesięcy, całkowicie nowej mikroarchitektury procesorów oraz najnowocześniejszych procesów produkcyjnych. Jest to wyzwanie nie mające sobie równych w branży. Jeżeli układy 32nm wejdą do produkcji w przyszłym roku, będzie to czwarty rok z rzędu, w którym Intel zrealizuje swój cel.
Opracowanie i prezentacja Intela na temat procesu 32nm obejmuje technologię logiki, która wykorzystuje drugą generację bramek metalowych typu high-k+ (o wysokiej stałej dielektrycznej), 193-nanometrową litografię zanurzeniową oraz ulepszone techniki rozciągania tranzystorów. Rozwiązania te poprawiają wydajność oraz energooszczędność procesorów Intela. Proces produkcyjny Intela cechuje się najwyższą wydajnością i gęstością tranzystorów spośród wszystkich znanych technologii 32nm w branży. Inne opracowania Intela podczas konferencji IEDM dotyczyć będą niskonapięciowej wersji intelowskiego procesu 45nm do produkcji układów typu SOC (System On Chip), tranzystorów bazujących na złożonych półprzewodnikach, prac technicznych dotyczących podłoża poprawiających wydajność tranzystorów 45nm, integracji chemiczno-mechanicznego wykończenia węzłów 45nm i mniejszych, a także integracji macierzy krzemowych modulatorów fotonicznych. Intel weźmie także udział w krótkiej ścieżce dotyczącej technologii CMOS 22 nm.
Produkt 45nm jest wytwarzany w procesie, w którym nie wykorzystuje się ołowiu. Zawartość ołowiu wynosi poniżej 1000 PPM, zgodnie z unijną dyrektywą RoHS (2002/95/EC, załącznik A). Niektóre unijne zwolnienia z obowiązku przestrzegania normy RoHS w zakresie ołowiu mogą mieć zastosowanie do innych podzespołów wykorzystywanych w zestawie produktowym.
